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產(chǎn)品分類

產(chǎn)品列表

1500單溫區(qū)φ50真... 該管式爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐還叫CVD管式爐和實驗管式爐，廣泛用于各種反應(yīng)溫度較高的C...
1500℃單溫區(qū)φ60... 成越1500℃單溫區(qū)φ60管式爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐還叫CVD管式爐和實驗管式爐，廣泛...
1500℃單溫區(qū)φ80... 該管式爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐還叫CVD管式爐和實驗管式爐，廣泛用于各種反應(yīng)溫度較高的C...
小型旋轉(zhuǎn)管式爐單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐，可實現(xiàn)在氣氛保護的環(huán)境下對粉末材料用CVD方法進(jìn)行包裹和修飾。設(shè)備采用摩擦傳動，無需額外固定，爐管拆卸...
雙溫區(qū)滑動旋轉(zhuǎn)管式爐雙溫區(qū)滑動旋轉(zhuǎn)管式爐通過機械傳動控制工作管能360°不間斷旋轉(zhuǎn)，爐體在支架上能夠前后滑動，可以實現(xiàn)快速升降溫，雙溫區(qū)滑動...
200mm大管徑回轉(zhuǎn)窯... 200mm大管徑回轉(zhuǎn)窯爐配有投料機構(gòu)和旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，能夠保證反應(yīng)連續(xù)均勻的發(fā)生，200mm大管徑回轉(zhuǎn)窯爐廣泛應(yīng)用于鋰電池材料...
自動進(jìn)料旋轉(zhuǎn)管式爐該款管式爐CY-O1200-R100IT-AF為帶有自動進(jìn)料和收集設(shè)備的可旋轉(zhuǎn)管式爐，采用雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，爐體表面溫度≤6...
1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管... 1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐，采用高純石英制作變徑石英管，專為粉末處理設(shè)計。旋轉(zhuǎn)裝置采用摩擦傳動，傾角（0-15°）任意可...
1600雙溫區(qū)真空旋轉(zhuǎn)... 鄭州成越科儀真空旋轉(zhuǎn)管式爐采用7英寸液晶屏做控制系統(tǒng)，具有簡單易學(xué)，操作方便，智能化程度高。鄭州成越科儀真空旋轉(zhuǎn)管式爐主...
1200℃單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管... 1200℃開啟式單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐，采用高純石英制作爐管。旋轉(zhuǎn)裝置為半導(dǎo)體致冷法蘭，摩擦傳動，傾角（0~15°）任意可調(diào)。...
1200℃雙溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管... 1200℃開啟式雙溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐，采用高純石英制作爐管。旋轉(zhuǎn)裝置為半導(dǎo)體致冷法蘭，摩擦傳動，傾角（0~15°）任意可調(diào)。...
1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管... 1200℃開啟式雙溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐，采用高純石英制作爐管。旋轉(zhuǎn)裝置為半導(dǎo)體致冷法蘭，摩擦傳動，傾角（0~15°）任意可調(diào)。...
PECVD化學(xué)氣相沉積... PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低...
PEALD等離子增強原... 等離子增強原子層沉積（PEALD）系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，結(jié)合了等離子體和原子層沉積（ALD）的優(yōu)點，以實現(xiàn)更高的...
等離子增強化學(xué)氣相沉積... 化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉...
等離子體增強型化學(xué)氣相... 化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用...
CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。...
PECVD氣相沉積 PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用
雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉... CVD（化學(xué)氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜
三溫區(qū)PECVD石墨烯... 三溫區(qū)PECVD廣泛用于石墨烯制備，顆粒包覆等科學(xué)實驗上

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